工程名称

高端光电子及硅光芯片器件产业化一期工程

项目法人或招标人名称

武汉光迅科技股份有限公司

项目批准文号

2503-420118-04-01-487070

建设内容

建设高端光电子硅光芯片器件的研发与产业基地，研发面向AI智算中心和算力网的高速光模块，实现基于高速VCSEL硅光集成芯片与EML技术方案的800G、1.6T、3.2T速率光模块研发与产业化；新建办公楼、研发中心、生产厂房及相关配套设施，投入各类研发与生产设备仪器18000台(套)。

建设地点

武汉市东湖新技术开发区流苏南路1号（自贸区武汉片区），流苏南路以东，巡场路南段以北，光谷五路（规划）以西。

投资估算

67.5亿元

资金来源

自筹资金

招标

计划

标段名称

招标范围

（内容）

合同估算价

（万元）

预估工期

（日历天）

拟招标时间

110KV变电站及外线工程监理

施工准备期、施工期及质保期全过程监理，包括但不限于自总承包单位确定后的全过程监理直至本项目交付使用。

75

自项目开始之日至监理工作全部完成

2026.7

备注

本计划表所列招标项目信息均为暂定，最终以实际招标时的信息为准